第809章 吃干抹净方小年(求订) (第3/5页)

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闻言，方年连道：“市场竞争是必然会存在的。”

“……”

这么一说，苗为就全然明白了，方年要的是个确切答案，是比之前国产操作系统应用生态小组更有保障的承诺。

虽说现在庐州前沿研发大CPU花的是财政拨款，但这点钱肯定不够看。

苗为也不是那种两耳不闻窗外事的人，他想了解一个事情，开句口自然有人总结汇报。

参照国外同等级别处理器研发投入，25亿人民币顶多是个起步资金。

庐州前沿会不会半途而废，取决于部里的协配工作是否到位。

迎着方年坦然平和毫无压力的目光，苗为抿着嘴说了句：“相关工作启动后，我会亲自督导。”

“谢谢苗部。”方年认真道。

“……”

然后方年毫不犹豫的转移了话题：“光刻机项目进展还算顺利，庐州前沿汇报，不日将试产65纳米工艺的芯片。”

“预计今年内可试产28纳米工艺芯片，比预期进展要快得多，但在28纳米往下会陷入较大瓶颈；

如果各大单位给力，材料上有所突破，能在一两年内继续突破。

在前沿的规划中，再往后可以用EUV光刻来突破，一直到物理极限的1纳米。”

说到最后，方年脸色很不好看的补充了句：“不过……EUV的实际进展有点辣眼睛。”

“毕竟是比欧美晚了十几年才开始研究，心急吃不了热豆腐。”苗为安慰了一句。

“……”

其实许多人，包括苗为不明白方年为什么会如此极力坚持EUV。

毕竟理论上DUV可以支持到7纳米光刻。

现在全世界最先进制程的是英特尔，才搞定22纳米。

距离7纳米看起来是很遥远的。

而且到这一步，为了防止原子漏跑等，简称漏电，现在国际先进制程已经在考虑FinFET工艺。

这就开始出现方年所说的技术瓶颈。

按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(MMP)的一半来算，MMP减少开始变缓；

偏偏3D化后，晶体管数量依旧激增，这样就显示不出工艺进步了。

于是……

下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短0.7，则面积缩小一半(0.7×0.7＝0.5)这样的一个形式来简化计算。

什么叫简化计算……

即，20×0.7＝14。

再然后是14→10→7→5→3。

那么实际上MMP减少了多少呢？

以台积电为例，从10纳米到7纳米，MMP从44纳米降到了40纳米。

只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14nm+、++、+++上停滞不前。

英特尔甚至想说一句：不标准的命名规则都特么是耍流氓。